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J-GLOBAL ID：201702235983720076   整理番号：17A1016186

クラスターイオン注入によるCMOSセンサのゲッタリング技術

著者 (7件)： 栗田一成 (SUMCO 技術本部) ,  門野武 (SUMCO 技術本部) ,  奥山亮輔 (SUMCO 技術本部) ,  廣瀬諒 (SUMCO 技術本部) ,  柾田亜由美 (SUMCO 技術本部) ,  奥田秀彦 (SUMCO 技術本部) ,  古賀祥泰 (SUMCO 技術本部)
資料名： 表面科学学術講演会講演要旨集  (表面科学学術講演会要旨集)
巻： 37th  ページ： 27  発行年： 2017年08月17日 
JST資料番号： L1366A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *クラスタイオン ,  イオン注入 ,  センサ ,  CMOS構造 ,  *ゲッタリング ,  *イメージセンサ ,  重金属 ,  CMOSセンサ ,  MOS構造

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： クラスターイオン ,  注入 ,  CMOSセンサ ,  ゲッタリング