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J-GLOBAL ID：201702239294529281   整理番号：17A1138470

クラスターイオン注入によるCMOSセンサのゲッタリング技術

著者 (1件)： 栗田一成 (SUMCO 技術本部)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 78th  ページ： ROMBUNNO.5p-A204-8  発行年： 2017年08月25日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *クラスタイオン ,  *イオン注入 ,  *ゲッタリング ,  ウエハ【IC】 ,  重金属汚染 ,  除去 ,  不純物 ,  格子欠陥 ,  不純物拡散 ,  *イメージセンサ ,  不純物除去 ,  *CMOSイメージセンサ ,  シリコンウエハ ,  環境汚染
準シソーラス用語： Siウエハ ,  結晶欠陥

分類 (2件)： 撮像・録画装置  (ND12032E) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (4件)： クラスターイオン ,  注入 ,  CMOSセンサ ,  ゲッタリング