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J-GLOBAL ID：201702239931060847   整理番号：17A1943187

InGaN量子井戸における発光ピークのS字型温度依存性の詳細解析

Detailed analysis of S-shaped temperature dependence of photoluminescence peak energy in InGaN quantum wells

著者 (6件)： 池田優真 (金沢工大 光電相互変換デバイスシステム研究開発セ) ,  坂井繁太 (金沢工大 光電相互変換デバイスシステム研究開発セ) ,  大島一輝 (金沢工大 光電相互変換デバイスシステム研究開発セ) ,  山口敦史 (金沢工大 光電相互変換デバイスシステム研究開発セ) ,  蟹谷裕也 (ソニー) ,  冨谷茂隆 (ソニー)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 117  号： 331(ED2017 49-71)  ページ： 11-14  発行年： 2017年11月23日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： LEDやレーザダイオードの発光層として用いられるInGaN量子井戸において,PLピークエネルギーのS字型温度依存性(S-Shape)の解析は組成揺らぎの評価手段の一つとして広く用いられている。しかしながら,一般的に用いられているフィッティング関数の導出においては大胆な近似が使われており,この解析を問題なく使える条件は限定的である。そこで本研究では,より汎用性のあるモデルを考案し,このモデルに基づきS-Shapeを計算で求め,実験結果との比較を行った。その結果,従来モデルよりも大幅に広い温度範囲で,理論モデルにより実験結果を再現することができた。(著者抄録)

シソーラス用語： *インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  固体素子 ,  *組成 ,  *ゆらぎ ,  *スペクトル ,  *温度依存性 ,  モデリング ,  *窒化インジウムガリウム
準シソーラス用語： *InGaN ,  *PLスペクトル ,  量子井戸素子

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

引用文献 (8件)：

• A. A. Yamaguchi, M. Kuramoto, A. Kimura, M. Nido and M. Mizuta, Jpn. J. Appl. Phys. 40, L548 (2001).
• P. G. Eliseev, P. Perlin, J. Lee, and M. Osinski, Appl. Phys. Lett. 71, 569 (1997).
• G. M. Wu, T. J. Chung, T. E. Nee, D. C. kuo, W. J. Chen, C. C. Ke, C. W. Hung, J. C. Wang, and N. C. Chen, Phys. Stat. Sol. (c) 4, No. 7, 2797 (2007).
• K. Ding, Y. Zeng, R. Duan, X. Wei, J. Wang, P. Ma, H. Lu, P. Cong, and J. Li, Jpn. J. Appl. Phys. 48, 021001 (2009).
• T. Lu, Z. Ma, C. Du, Y. Fang, H. Wu, Y. Jiang, L. Wang, L. Dau, H. Jia, and H. Chen, Scientific Reports. 4, 6131 (2015).

タイトルに関連する用語 (5件)： InGaN ,  量子井戸 ,  字 ,  温度依存性 ,  解析