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J-GLOBAL ID：201702246228470352   整理番号：17A1139235

分子クラスターイオン注入エピウェーハの製品特性(4)-3次元アトムプローブによる重金属ゲッタリングメカニズムの解析-

著者 (8件)： 重松理史 (SUMCO) ,  奥山亮輔 (SUMCO) ,  廣瀬諒 (SUMCO) ,  柾田亜由美 (SUMCO) ,  門野武 (SUMCO) ,  古賀祥泰 (SUMCO) ,  奥田秀彦 (SUMCO) ,  栗田一成 (SUMCO)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 78th  ページ： ROMBUNNO.6a-A503-5  発行年： 2017年08月25日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *クラスタ分子 ,  *イオン注入 ,  エピタクシー ,  *ウエハ【IC】 ,  *トモグラフィー ,  *銅 ,  炭素 ,  *ゲッタリング ,  *深さプロフィル ,  *ケイ素
準シソーラス用語： *原子プローブトモグラフィー

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

物質索引 (1件)： プロピリジンラジカル

タイトルに関連する用語 (7件)： 分子クラスター ,  イオン注入 ,  3次元アトムプローブ ,  重金属 ,  ゲッタリング ,  メカニズム ,  解析