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J-GLOBAL ID：201702251815388806   整理番号：17A0607287

Cd₃As₂薄膜における膜厚に依存した電子構造と量子輸送特性

著者 (15件)： 中澤佑介 (東大 工) ,  打田正輝 (東大 工) ,  西早辰一 (東大 工) ,  秋葉和人 (東大 物性研) ,  KRIENER M. (理研 CEMS) ,  小塚裕介 (東大 工) ,  三宅厚志 (東大 物性研) ,  田口康二郎 (理研 CEMS) ,  徳永将史 (東大 物性研) ,  永長直人 (東大 工) ,  永長直人 (理研 CEMS) ,  十倉好紀 (東大 工) ,  十倉好紀 (理研 CEMS) ,  川崎雅司 (東大 工) ,  川崎雅司 (理研 CEMS)
資料名： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (日本物理学会春季大会講演概要集(CD-ROM))
巻： 72  号： 1  ページ： ROMBUNNO.18aB12-14  発行年： 2017年03月21日 
JST資料番号： S0671C  ISSN： 2189-079X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *電子構造 ,  *輸送現象 ,  *金属 ,  *半導体 ,  薄膜 ,  膜厚依存性 ,  *量子輸送
準シソーラス用語： *Dirac半金属

分類 (1件)： 金属結晶の電子構造  (BM02050C)

タイトルに関連する用語 (6件)： Cd3As2 ,  薄膜 ,  膜厚 ,  電子構造 ,  量子 ,  輸送特性