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J-GLOBAL ID：201702253045359633   整理番号：17A0364557

[0001]InGaN単一量子井戸系を用いた光ルミネセンス特性とガス圧の間の関係【Powered by NICT】

The relation between photoluminescence properties and gas pressure with [0001] InGaN single quantum well systems

著者 (4件)： Tsutsumi Toshiaki (Department of Nanosystem Sciences, Yokohama City University, Yokohama 236-0027, Japan) ,  Alfieri Giovanni (Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyotodaigaku-katsura, Nishikyo, Kyoto 615-8510, Japan) ,  Kawakami Yoichi (Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University, Kyotodaigaku-katsura, Nishikyo, Kyoto 615-8510, Japan) ,  Micheletto Ruggero (Department of Nanosystem Sciences, Yokohama City University, Yokohama 236-0027, Japan)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 392  ページ： 256-259  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InGaN単一量子井戸(SQW)素子の光ルミネセンスは,試料を浸漬したガス圧力に関連することを初めて明らかにしまた,可能な原因を示唆する現象のモデルを提案した。著者らのモデルは,実験的挙動と分子被覆率動力学の間の直接関係を示した。これは光ルミネセンスの減少の駆動力は,ガス圧力に依存することを時間動力学を有する素子の表面を覆う酸素であることを強く示唆する。これはいわゆる光記憶効果の物理的機構とこれらのデバイスで観測した明滅現象の理解に寄与することを目的とした。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 記憶効果 ,  被覆率 ,  フリッカ ,  *光ルミネセンス ,  駆動力 ,  酸素 ,  浸漬 ,  *ガス圧 ,  *単一量子井戸 ,  *窒化インジウムガリウム
準シソーラス用語： *InGaN , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 科学 ,  出版 ,  の1例

分類 (3件)： レーザ照射・損傷  (BK16040S) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (4件)： InGaN ,  単一量子井戸 ,  光ルミネセンス ,  ガス圧