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J-GLOBAL ID：201702273201706396   整理番号：17A0550351

硫黄を過飽和ドープしたSi単結晶の赤外吸収と光電気伝導利得

著者 (7件)： 早瀬弘基 (甲南大 理工) ,  長尾克紀 (甲南大 理工) ,  中井達也 (甲南大 理工) ,  細見勇登 (甲南大 理工) ,  内藤宗幸 (甲南大 理工) ,  青木珠緒 (甲南大 理工) ,  梅津郁朗 (甲南大 理工)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th  ページ： ROMBUNNO.16p-B5-7  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  単結晶 ,  *硫黄 ,  *ドーピング ,  *光吸収 ,  *光伝導 ,  光電流 ,  *赤外吸収
準シソーラス用語： *シリコン ,  *過飽和ドーピング

分類 (2件)： 光物性一般  (BM08010A) ,  光伝導,光起電力  (BM03050J)

タイトルに関連する用語 (8件)： 硫黄 ,  過飽和 ,  ドープ ,  Si単結晶 ,  赤外吸収 ,  光電気 ,  伝導 ,  利得