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J-GLOBAL ID：201702287307429883   整理番号：17A0962907

電場誘起超伝導体MoS₂の上部臨界磁場

著者 (5件)： 野島勉 (東北大 金属材料研) ,  大内拓 (東北大 金属材料研) ,  斎藤優 (東大 工) ,  岩佐義宏 (東大 工) ,  岩佐義宏 (理研)
資料名： 東北大学金属材料研究所強磁場超伝導材料研究センター年次報告  (Annual Report. High Field Laboratory for Superconducting Materials, Institute for Materials Research, Tohoku University)
巻： 2016  ページ： 70  発行年： 2017年06月 
JST資料番号： X0986A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 電気二重層トランジスタ(EDLT)超伝導体の電子対に対するスピン-軌道相互作用(SOI)の保護効果の理解,それによって現れる新規超伝導現象の探査を目的として,MoS₂-EDLTにおける上部臨界磁場(H_c2)の温度,磁場方位依存性を測定した。17TまでのH_c2の異方性の評価から,従来型の二次元超伝導体にはない特性は,SOIのよる超伝導保護効果の一端を示していると思われる。

シソーラス用語： *臨界磁場 ,  硫化モリブデン ,  超伝導体 ,  トランジスタ ,  スピン-軌道相互作用 ,  依存性 ,  *上部臨界磁場 ,  磁場依存性 ,  *硫化モリブデン(IV)
準シソーラス用語： *二硫化モリブデン ,  電気二重層トランジスタ

分類 (1件)： 金属系超伝導体の物性  (BM04022R)

引用文献 (3件)：

• Y. Saito, T. Nojima, Y. Iwasa, Supercond. Sci. Technol. 29, 093001 (2016).
• Y. Saito, T. Nojima, Y. Iwasa, Nat. Rev. Mater. 2, 16094 (2017).
• Y. Saito, et al., Nat. Phys. 12, 144 (2016).

タイトルに関連する用語 (5件)： 電場 ,  誘起 ,  超伝導体 ,  MoS2 ,  上部臨界磁場