ギ酸の脱水素化に用いる触媒、ギ酸の脱水素化方法、水素製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：塩田伸
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2014076953
公開番号（公開出願番号）：WO2015-053317
出願日： 2014年10月08日
公開日（公表日）： 2015年04月16日
要約：

高濃度ギ酸溶液中高温反応条件でも、ギ酸の脱水素化による水素の製造が可能な触媒を提供することを課題とするものであり、その触媒は、式(1)又は(2)で表される窒素原子が2個以上含まれた芳香族複素5員環を含む2座配位子をもつ錯体、その異性体又は塩を有効成分として含むことを特徴とする。[式中、M1及びM2は、イリジウム等の遷移金属であり、X1〜X16は、窒素又は炭素であり、R1〜R13は、水素原子、アルキル基、ヒドロキシ基等であり、L1及びL2は、芳香族性アニオン配位子等であり、Z1及びZ2は、任意の配位子であるか、又は存在せず、m及びnは、正、0又は負の整数である。]

請求項（抜粋）：

式(1)で表される窒素原子が2個以上含まれた芳香族複素5員環からなる2座配位子、または式(2)で表される窒素原子が2個以上含まれた芳香族複素5員環と窒素原子が1個以上含まれた6員環からなる2座配位子をもつ錯体、その異性体、または塩を有効成分として含む、ギ酸または/およびギ酸塩の脱水素化反応に用いる触媒。

IPC (3件)：

B01J 31/22 , C01B 3/22 , H01M 8/060

FI (3件)：

B01J31/22 M , C01B3/22 Z , H01M8/06 R

Fターム (63件)：

4G140DA05 , 4G140DC02 , 4G140DC03 , 4G140DC07 , 4G169AA06 , 4G169AA12 , 4G169BA21C , 4G169BA27A , 4G169BA27B , 4G169BA36A , 4G169BB05A , 4G169BB10A , 4G169BB12A , 4G169BB16A , 4G169BC66A , 4G169BC67A , 4G169BC68A , 4G169BC70A , 4G169BC71A , 4G169BC71B , 4G169BC72A , 4G169BC73A , 4G169BC74A , 4G169BC74B , 4G169BC75A , 4G169BE01A , 4G169BE01B , 4G169BE04A , 4G169BE04B , 4G169BE06A , 4G169BE06B , 4G169BE07A , 4G169BE08A , 4G169BE14A , 4G169BE16A , 4G169BE16B , 4G169BE20A , 4G169BE22A , 4G169BE33A , 4G169BE34A , 4G169BE37A , 4G169BE37B , 4G169BE38A , 4G169BE38B , 4G169BE41A , 4G169BE41B , 4G169BE45A , 4G169BE48A , 4G169CB07 , 4G169CB81 , 4G169CC32 , 4G169DA02 , 4G169EC27 , 4G169ED05 , 4G169FA01 , 4H050AA03 , 4H050AB40 , 5H127AC06 , 5H127AC07 , 5H127AC15 , 5H127BA01 , 5H127BA03 , 5H127BA21

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