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J-GLOBAL ID：201802210541199698   整理番号：18A2209629

光励起誘導放出光測定によるInGaN量子井戸レーザのポテンシャル揺らぎ評価

A new method to evaluate the degree of potential fluctuation in InGaN quantum-well laser diodes by optical-pump stimulated-emission measurements

著者 (6件)： 大島一輝 (金沢工大 光電相互変換デバイスシステム研究開発セ) ,  池田優真 (金沢工大 光電相互変換デバイスシステム研究開発セ) ,  坂井繁太 (金沢工大 光電相互変換デバイスシステム研究開発セ) ,  山口敦史 (金沢工大 光電相互変換デバイスシステム研究開発セ) ,  蟹谷裕也 (ソニー) ,  冨谷茂隆 (ソニー)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 118  号： 330(ED2018 32-52)  ページ： 79-82  発行年： 2018年11月22日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： InGaN量子井戸(QW)では,In組成揺らぎや井戸幅揺らぎに起因してポテンシャル揺らぎが顕著に現れる。これまでに,この揺らぎの度合いを評価するために様々な手法が提案されているが,手法によって得られる結果が必ずしも一致しないことが問題となっている。そこで本研究では,このポテンシャル揺らぎがレーザ特性に与える影響を議論するためには光学利得特性から直接揺らぎを評価するのが最も望ましいと考え,理論的な検討を行った。さらにInGaN-QWレーザにおける光励起誘導放出光測定を行い,しきい値励起光強度密度の温度依存性から揺らぎを評価する新たな手法を見出した。(著者抄録)

シソーラス用語： 光ポンピング ,  誘導放出 ,  *インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  *量子井戸レーザ ,  *ゆらぎ ,  光 ,  温度依存性 ,  *ポテンシャル揺らぎ ,  励起光 ,  *窒化インジウムガリウム
準シソーラス用語： *InGaN ,  光励起

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

引用文献 (8件)：

• A. A. Yamaguchi, M. Kuramoto, A. Kimura, M. Nido, and M. Mizuta, Jpn. J. Appl. Phys. 40, L548 (2001).
• R. W. Martin, P. G. Middleton, P. O'Donnell, Appl. Phys. Lett. 74, 263 (1999).
• P. G. Eliseev, P. Perlin, J. Lee, and M. Osinski, Appl. Phys. Lett. 71, 569 (1997).
• K. Kinjo, Y. Inose, H. Satoh, K. Ema, T. Nakaoka, T. Oto, K. Kishino, The 63th JSAP Autumn Meeting, 20a-H121-9 (2016).
• A. A. Yamaguchi, M. Kuramoto, M. Nido, and M. Mizuta: Semicond. Sci. Technol. 16, 763 (2001).

タイトルに関連する用語 (7件)： 光励起 ,  誘導放出 ,  光測定 ,  InGaN ,  量子井戸レーザ ,  ポテンシャル揺らぎ ,  評価