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J-GLOBAL ID：201802215414898730   整理番号：18A1013901

結晶方位を45度回転させたSOI基板上へのナノ共振器シリコンラマンレーザの作製

Fabrication of nanocavity Raman silicon laser on (100) SOI substrate with a 45 degree rotated top Si layer

著者 (4件)： 山内悠起子 (大阪府大 大学院工学研究科) ,  岡野誠 (産業技術総合研) ,  野田進 (京大 大学院工学研究科) ,  高橋和 (大阪府大 大学院工学研究科)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 118  号： 62(LQE2018 10-19)  ページ： 17-20  発行年： 2018年05月17日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 我々は,集積シリコン光回路における光源応用などが期待されている高Q値フォトニックナノ共振器を用いたシリコンラマンレーザを開発してきた。本レーザ素子は,(100)SOI基板の[100]結晶方向に作製する必要があるため,基板が容易に劈開可能な[110]結晶方向とは平面内で45度の回転ずれが生じていた。本研究では,この問題を解決するために,トップSi層の結晶方位が支持Si層に対して45度回転してある(100)SOI基板上にナノ共振器ラマンレーザを作製した。レーザ発振に重要となる共振器のQ値においては,従来通りの高い値が得られ,1μW以下の超低閾値を持つ室温連続レーザ発振を確認することができた。新しい基板では,レーザの作製方向に対して垂直方向に基板の劈開が行えることも確認した。本結果は,CMOSプロセスを用いたシリコンラマンレーザ素子の大量作製や,他のSiフォトニクス素子との集積化を容易にすると考えられる。(著者抄録)

シソーラス用語： Ramanレーザ ,  プリント基板 ,  結晶方位 ,  微小共振器 ,  *半導体レーザ ,  ケイ素 ,  SOI基板
準シソーラス用語： ナノ共振器

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

引用文献 (9件)：

• 山田浩治,他,“実用が射程圏内に入ったシリコンフォトニクス,”OPTRONICS,No.417,pp.70-111,June 2016.
• D. Liang and J. E. Bowers, “Recent progress in lasers on silicon,” Nature Photon., vol.4, pp.511-517, August 2010.
• Y. Takahashi, Y. Inui, M. Chihara, T. Asano, R. Terawaki, and S. Noda, “A micrometre-scale Raman silicon laser with a microwatt threshold,” Nature vol.498, pp.470-474, June 2013.
• Y. Takahashi, Y. Inui, M. Chihara, T. Asano, R. Terawaki, and S. Noda, “High-Q resonant modes in a photonic crystal heterostructure nanocavity and applicability to a Raman silicon laser,” Phys. Rev. B 88(23), 235313, November 2013.
• J. Kurihara, D. Yamashita, T. Asano, S. Noda, and Y. Takahashi, “Fluctuation of the energy separation between the two high-quality resonant modes formed in an ultralow-threshold Raman silicon nanocavity laser,” Opt. Express under submission.

タイトルに関連する用語 (6件)： 結晶方位 ,  SOI基板 ,  ナノ共振器 ,  シリコン ,  ラマンレーザ ,  作製