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J-GLOBAL ID：201802220079202217   整理番号：18A0632057

分子イオン注入エピウェーハの製品特性(1)-CH₂P注入エピタキシャルウェーハ特性解析-

著者 (9件)： 廣瀬諒 (SUMCO) ,  奥山亮輔 (SUMCO) ,  門野武 (SUMCO) ,  柾田亜由美 (SUMCO) ,  重松理史 (SUMCO) ,  小林弘治 (SUMCO) ,  古賀祥泰 (SUMCO) ,  奥田秀彦 (SUMCO) ,  栗田一成 (SUMCO)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 65th  ページ： ROMBUNNO.18p-D103-1  発行年： 2018年03月05日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *イオン注入 ,  *イメージセンサ ,  高感度 ,  *イオンビーム ,  *ゲッタリング ,  イオン ,  炭素 ,  水素 ,  リン ,  *ケイ素 ,  *ウエハ【IC】 ,  二次イオン質量分析 ,  *濃度分布 ,  *有機リン化合物 ,  炭素化合物 ,  水素化物 ,  *複合欠陥 ,  *CMOSイメージセンサ ,  *クラスタイオンビーム ,  分子イオン
準シソーラス用語： SIMS【質量分析】 ,  多元素分子イオン

分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 分子イオン ,  注入 ,  エピタキシャルウェーハ ,  特性解析