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J-GLOBAL ID：201802223167105733   整理番号：18A1794007

次世代CMOSイメージセンサーのための分子イオン注入領域における水素拡散挙動の反応速度論解析

Reaction Kinetic Analysis of Diffusion Behavior of Hydrogen in Hydrocarbon Molecular Ion Implanted Region for Advanced CMOS Image Sensor

著者 (9件)： 奥山亮輔 (SUMCO) ,  柾田亜由美 (SUMCO) ,  小林弘治 (SUMCO) ,  重松理史 (SUMCO) ,  門野武 (SUMCO) ,  廣瀬諒 (SUMCO) ,  古賀祥泰 (SUMCO) ,  奥田秀彦 (SUMCO) ,  栗田一成 (SUMCO)
資料名： 半導体・集積回路技術シンポジウム(CD-ROM)  (半導体・集積回路技術シンポジウム論文集(CD-ROM))
巻： 82nd  ページ： ROMBUNNO.13  発行年： 2018年 
JST資料番号： F0108C  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *イメージセンサ ,  CMOS構造 ,  拡散 ,  *水素 ,  *反応速度論 ,  イオン注入 ,  二次イオン質量分析 ,  不動態化 ,  CMOSイメージセンサ ,  水素拡散 ,  MOS構造 ,  改変
準シソーラス用語： パッシベーション

分類 (1件)： 計測機器一般  (AD02000X)

タイトルに関連する用語 (8件)： 次世代 ,  CMOSイメージセンサー ,  分子イオン ,  注入 ,  水素拡散 ,  挙動 ,  反応速度論 ,  解析