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J-GLOBAL ID：201802232593412139   整理番号：18A0635938

ウェットエッチングを用いたSOI基板のサブナノメートル精度薄膜化

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著者 (1件)：
高橋和

高橋和 について

(大阪府大 大学院)

大阪府大 大学院 について


資料名：
大阪府立大学地域連携研究機構放射線研究センター放射線施設共同利用報告書

大阪府立大学地域連携研究機構放射線研究センター放射線施設共同利用報告書 について


巻： 2015  ページ： 46  発行年： 2017年03月 
JST資料番号： L7141A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)
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タイトルに関連する用語
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ウェットエッチング

ウェットエッチング について

, 
SOI基板

SOI基板 について

, 
薄膜化

薄膜化 について


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