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J-GLOBAL ID：201802241407396650   整理番号：18A1698329

デバイス工程中の炭素クラスター注入領域の水素吸着脱離挙動解析

著者 (9件)： 奥山亮輔 (SUMCO) ,  柾田亜由美 (SUMCO) ,  小林弘治 (SUMCO) ,  重松理史 (SUMCO) ,  廣瀬諒 (SUMCO) ,  門野武 (SUMCO) ,  古賀祥泰 (SUMCO) ,  奥田秀彦 (SUMCO) ,  栗田一成 (SUMCO)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 79th  ページ： ROMBUNNO.19p-131-10  発行年： 2018年09月05日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： イメージセンサ ,  *クラスタ分子 ,  *炭素 ,  *イオン注入 ,  *吸着 ,  *脱着 ,  *CMOS ,  エピタクシー ,  表面準位 ,  プラズマCVD ,  CMOSイメージセンサ ,  *炭素クラスタ ,  *水素吸着
準シソーラス用語： *水素脱離 ,  エピタキシャル成長 ,  界面準位

分類 (3件)： 結晶成長技術・装置  (BK13020B) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 炭素クラスター ,  注入 ,  水素吸着 ,  脱離 ,  挙動解析