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J-GLOBAL ID：201802241820665916   整理番号：18A0697423

低キャリア濃度ディラック半金属薄膜におけるバルク量子ホール効果

著者 (8件)： 西早辰一 (東大 工) ,  打田正輝 (東大 工) ,  中澤佑介 (東大 工) ,  KRIENER M. (理研 CEMS) ,  小塚裕介 (東大 工) ,  田口康二郎 (理研 CEMS) ,  川崎雅司 (東大 工) ,  川崎雅司 (理研 CEMS)
資料名： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (日本物理学会春季大会講演概要集(CD-ROM))
巻： 73  号： 1  ページ： ROMBUNNO.25aB101-4  発行年： 2018年03月23日 
JST資料番号： S0671C  ISSN： 2189-079X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *キャリア密度 ,  *金属薄膜 ,  *量子Hall効果 ,  Landau準位 ,  ヒ化物 ,  カドミウム化合物 ,  亜鉛化合物 ,  金属 ,  半導体
準シソーラス用語： *キャリア濃度 ,  *半金属薄膜 ,  Dirac半金属

分類 (1件)： 電子構造一般  (BM02010K)

タイトルに関連する用語 (4件)： キャリア濃度 ,  半金属薄膜 ,  バルク ,  量子ホール効果