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J-GLOBAL ID：201802245308544398   整理番号：18A1884380

分子線エピタキシー法により作製したCd₃As₂薄膜の量子輸送特性

著者 (5件)： 中澤佑介 (東大 大学院) ,  打田正輝 (東大 大学院) ,  西早辰一 (東大 大学院) ,  佐藤慎 (東大 大学院) ,  川崎雅司 (東大 大学院)
資料名： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (日本物理学会春季大会講演概要集(CD-ROM))
巻： 73  号： 2  ページ： ROMBUNNO.12aK106-14  発行年： 2018年09月21日 
JST資料番号： S0671C  ISSN： 2189-079X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： MBE成長 ,  *ヒ化物 ,  *カドミウム化合物 ,  *半導体薄膜 ,  *輸送現象 ,  キャリア移動度 ,  キャリア密度 ,  ヒ化カドミウム ,  *量子輸送

分類 (1件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (6件)： 分子線エピタキシー法 ,  作製 ,  Cd3As2 ,  薄膜 ,  量子 ,  輸送特性