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J-GLOBAL ID：201802246717496399   整理番号：18A1699639

常温接合によるダイヤモンドBOX層SOIウェーハの検討 2-TEG作製による電気特性評価-

著者 (2件)： 古賀祥泰 (SUMCO) ,  栗田一成 (SUMCO)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 79th  ページ： ROMBUNNO.20p-222-10  発行年： 2018年09月05日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： ウエハ【IC】 ,  酸化膜 ,  薄膜 ,  *接合 ,  PN接合 ,  *接合ダイオード ,  絶縁耐力 ,  熱伝導率 ,  *SOIウェハ ,  *埋込み酸化膜 ,  *ダイヤモンド膜 ,  化成皮膜
準シソーラス用語： *ダイヤモンド薄膜 ,  絶縁耐圧

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (8件)： 常温接合 ,  ダイヤモンド ,  BOX ,  SOIウェーハ ,  TEG ,  作製 ,  電気特性 ,  評価