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J-GLOBAL ID：201802250239418999   整理番号：18A0632061

分子イオン注入エピウェーハの製品特性(5)-3次元アトムプローブ法を用いたCH₃Oイオン注入ウェーハに形成される注入欠陥のゲッタリング挙動解析-

著者 (9件)： 重松理史 (SUMCO) ,  奥山亮輔 (SUMCO) ,  廣瀬諒 (SUMCO) ,  門野武 (SUMCO) ,  小林弘治 (SUMCO) ,  柾田亜由美 (SUMCO) ,  古賀祥泰 (SUMCO) ,  奥田秀彦 (SUMCO) ,  栗田一成 (SUMCO)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 65th  ページ： ROMBUNNO.18p-D103-5  発行年： 2018年03月05日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *格子欠陥 ,  イオン ,  *イオン注入 ,  *イメージセンサ ,  *重金属汚染 ,  *ゲッタリング ,  酸素化合物 ,  *炭素化合物 ,  水素化物 ,  *積層欠陥 ,  *ケイ素 ,  *ウエハ【IC】 ,  電子顕微鏡観察 ,  原子プローブFIM ,  元素分析 ,  *偏析 ,  炭素 ,  水素 ,  酸素 ,  分子イオン ,  CMOSイメージセンサ ,  三次元アトムプローブ ,  *環境汚染
準シソーラス用語： 結晶欠陥 ,  注入欠陥

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (8件)： 分子イオン ,  注入 ,  3次元アトムプローブ ,  イオン注入 ,  ウェーハ ,  欠陥 ,  ゲッタリング ,  挙動解析