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J-GLOBAL ID：201802256575738574   整理番号：18A0633399

窒化物混晶半導体中の結晶欠陥および組成変調の解析

著者 (2件)： 冨谷茂隆 (ソニー) ,  蟹谷裕也 (ソニー)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 65th  ページ： ROMBUNNO.19p-E202-3  発行年： 2018年03月05日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *混晶半導体 ,  窒化物 ,  *格子欠陥 ,  変化 ,  ウルツ鉱型結晶 ,  *ガリウム化合物 ,  *インジウム化合物 ,  *薄膜 ,  エピタクシー ,  電子顕微鏡観察 ,  透過型電子顕微鏡 ,  原子プローブFIM ,  エピタキシャル膜 ,  三次元アトムプローブ
準シソーラス用語： 組成変化

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： 窒化物 ,  混晶半導体 ,  結晶欠陥 ,  組成 ,  変調 ,  解析