文献

J-GLOBAL ID：201802257969463481   整理番号：18A1667439

NdSe₂原子層超伝導薄膜の上部臨界磁場

著者 (6件)： 野島勉 (東北大 金属材料研) ,  大内拓 (東北大 金属材料研) ,  松岡秀樹 (東大 工) ,  中野匡規 (東大 工) ,  岩佐義宏 (東大 工) ,  岩佐義宏 (理研 CEMS)
資料名： 東北大学金属材料研究所強磁場超伝導材料研究センター年次報告  (Annual Report. High Field Laboratory for Superconducting Materials, Institute for Materials Research, Tohoku University)
巻： 2017  ページ： 78  発行年： 2018年06月 
JST資料番号： X0986A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・近年,原子層レベルの薄い高結晶性2次元超伝導体が注目の対象。
・本研究では,原子層超伝導体におけるSOIの保護効果の理解,および新規超伝導現象の探索を目的としてNdSe₂原子層膜におけH_c2(上部臨界磁場)の温度,磁場方位依存性を詳細に測定。
・超伝導マグネット(25T-CSM装置を用いた試料の面直,および面内磁場中での電気抵抗転移の測定結果を図示。
・面直方向では,3Tまでの磁場中で超伝導転移がほぼ消失するのに対し,面内方向では,約4.3T~22Tの磁場中でも超伝導転移が観測されることが判明。
・今までとは異なる高結晶2次元超伝導体の特徴の定量的解明に成功。

シソーラス用語： *スピン-軌道相互作用 ,  層 ,  *相転移 ,  *超伝導 ,  磁場 ,  電気抵抗 ,  保護作用 ,  超伝導薄膜 ,  依存性 ,  *臨界磁場 ,  原子層 ,  *上部臨界磁場 ,  *超伝導転移
準シソーラス用語： 方位依存性 ,  面内磁場

分類 (1件)： 金属系超伝導体の物性  (BM04022R)

引用文献 (3件)：

• Y. Saito, T. Nojima, Y. Iwasa, Nat. Rev. Mater. 2, 16094 (2017).
• Y. Saito, et al., Nat. Phys. 12, 144 (2016).
• 野島勉,大内拓,斎藤優,岩佐義宏,強磁場超伝導材料研究センター 平成28年度年次報告書.

タイトルに関連する用語 (3件)： 原子層 ,  超伝導薄膜 ,  上部臨界磁場