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J-GLOBAL ID：201802262112918907   整理番号：18A0831515

2H,1Tおよび歪んだ1T相構造を有する単層二硫化モリブデン置換ドープされたクロム原子における電子状態

ELECTRONIC STATES IN SINGLE-LAYER MOLYBDENUM DISULFIDE SUBSTITUTIONAL-DOPED CHROMIUM ATOMS WITH 2H, 1T AND DISTORTED-1T PHASE STRUCTURE

著者 (2件)： HONDA Syuta (Kansai Univ., Osaka, JPN) ,  YOKOYAMA Naoki (Kansai Univ., Osaka, JPN)
資料名： Science and Technology Reports of Kansai University  (Science and Technology Reports of Kansai University)
号： 60  ページ： 7-13  発行年： 2018年03月20日 
JST資料番号： F0565A  ISSN： 0453-2198  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元材料に基づくエレクトロニクス素子に使用されると期待される単層二硫化モリブデンは,1.8eVのバンドギャップを有する直接遷移型バンドギャップの半導体である。2H相の二硫化モリブデン置換ドープされたクロム原子(Cr_xMo_1-xS₂)の単層も,直接遷移型バンドギャップの半導体である。それ自身のバンドギャップは,クロム原子の数が増加すると減少する。第一原理計算により,1T及び歪んだ1T相におけるCr_xMo_1-xS₂の電子構造を調べた。著者らは,クロム原子のドーピング濃度が変化すると,1T相のCr_xMo_1-xS₂が半金属,金属,および半導体へ変化することを見出した。歪んだ1T相におけるCr_xMo_1-xS₂は,約0.1eVの間接遷移型の小さなバンドギャップを有する半導体である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 硫化モリブデン ,  クロム ,  金属 ,  半金属 ,  半導体 ,  バンドギャップ ,  電子遷移 ,  ドーピング ,  *材料 ,  *電子状態 ,  計算 ,  直接遷移 ,  間接遷移 ,  *二次元材料 ,  第一原理計算 ,  硫化モリブデン(IV)
準シソーラス用語： 二硫化モリブデン

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  金属結晶の電子構造  (BM02050C)

タイトルに関連する用語 (7件)： 単層 ,  硫化モリブデン ,  置換 ,  ドープ ,  クロム ,  原子 ,  電子状態