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J-GLOBAL ID：201802268863806674   整理番号：18A0633425

希薄磁性半導体GaGdAs/GaAs超格子へのSiドープの効果

著者 (5件)： 宮川勇人 (香川大 工) ,  大西吉行 (香川大 工) ,  小柴俊 (香川大 工) ,  高橋尚志 (香川大) ,  稲田佳彦 (岡大 院)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 65th  ページ： ROMBUNNO.19p-F202-4  発行年： 2018年03月05日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *超格子 ,  *磁性半導体 ,  *ガリウム化合物 ,  *ガドリニウム化合物 ,  ヒ化物 ,  ドーピング ,  ケイ素 ,  添加物効果 ,  MBE成長 ,  電子顕微鏡観察 ,  透過型電子顕微鏡 ,  *飽和磁化 ,  希薄磁性半導体 ,  断面透過型電子顕微鏡

分類 (1件)： その他の無機化合物の磁性  (BM06060P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 希薄磁性半導体 ,  GaAs ,  超格子 ,  Si ,  ドープ