文献

J-GLOBAL ID：201802278678944034   整理番号：18A0632059

分子イオン注入エピウェーハの製品特性(3)-RTA処理による注入欠陥に捕獲された水素の熱処理挙動解析-

著者 (9件)： 門野武 (SUMCO) ,  奥山亮輔 (SUMCO) ,  廣瀬諒 (SUMCO) ,  柾田亜由美 (SUMCO) ,  小林弘治 (SUMCO) ,  重松理史 (SUMCO) ,  古賀祥泰 (SUMCO) ,  奥田秀彦 (SUMCO) ,  栗田一成 (SUMCO)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 65th  ページ： ROMBUNNO.18p-D103-3  発行年： 2018年03月05日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *イオン注入 ,  イオン ,  イメージセンサ ,  *クラスタイオン ,  *炭素 ,  炭化水素 ,  *ゲッタリング ,  ケイ素 ,  半導体 ,  ウエハ【IC】 ,  *水素 ,  酸素 ,  *深さ分布 ,  電子顕微鏡観察 ,  二次イオン質量分析 ,  *RTA【熱処理】 ,  *欠陥 ,  *イオントラッピング ,  分子イオン ,  CMOSイメージセンサ
準シソーラス用語： SIMS【質量分析】 ,  注入欠陥 ,  イオン捕獲

分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (8件)： 分子イオン ,  注入 ,  RTA処理 ,  欠陥 ,  捕獲 ,  水素 ,  熱処理 ,  挙動解析