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J-GLOBAL ID：201802284836528632   整理番号：18A1698837

MoO_x/SiO₂界面のHAXPES分析

著者 (10件)： 神岡武文 (明治大) ,  神岡武文 (豊田工大) ,  安野聡 (JASRI) ,  LEE Hyunju (豊田工大) ,  小島拓人 (明治大) ,  西原達平 (明治大) ,  林豊 (豊田工大) ,  中村京太郎 (豊田工大) ,  大下祥雄 (豊田工大) ,  小椋厚志 (明治大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 79th  ページ： ROMBUNNO.19p-PA5-8  発行年： 2018年09月05日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *酸化モリブデン ,  *二酸化ケイ素 ,  *仕事関数 ,  硬X線 ,  *X線光電子スペクトル ,  結合エネルギー ,  化学結合 ,  真空蒸着 ,  アラインメント ,  表面準位 ,  界面化学結合 ,  バンドアライメント
準シソーラス用語： 界面準位

分類 (2件)： 電子分光スペクトル  (BM09060K) ,  表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (4件)： SiO2 ,  界面 ,  HAXPES ,  分析