特許

J-GLOBAL ID：201803002933989338

有機半導体及びその製造方法

発明者： 池田 大次 ,  岡本 敏宏 ,  竹谷 純一
出願人/特許権者： 株式会社ダイセル ,  国立大学法人 東京大学
代理人 (2件)： 鍬田 充生 ,  阪中 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-072460
公開番号（公開出願番号）：特開2018-174266
出願日： 2017年03月31日
公開日（公表日）： 2018年11月08日
要約：

【課題】高い移動度を有するとともに、ウェットプロセスにより成形可能な有機半導体を提供する。【解決手段】本発明の有機半導体は、下記式(1)で表される歪み型化合物を含む。式中、Zは周期表第13〜16族元素から選択される原子;環A1及びA2は炭素-炭素不飽和結合を有する環;R1a、R1b及びR2は水素原子又は置換基;R3は周期表第16族元素から選択される原子;RA及びRBは水素原子、置換基、又は周期表第16族元素から選択される原子;mは0〜4の整数;nは0〜2の整数;p1及びp2は0以上の整数を示す。実線と破線で表わされる結合は、単結合又は二重結合を示す。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下記式(1)

IPC (6件)：

H01L 51/30 ,  H01L 51/05 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 51/40 ,  C07D 495/14

FI (6件)：

H01L29/28 250H ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/28 310J ,  C07D495/14 A

Fターム (33件)：

2H192AA24 ,  2H192CB36 ,  2H192GD03 ,  2H192HA23 ,  4C023LA01 ,  4C071AA01 ,  4C071BB02 ,  4C071CC23 ,  4C071DD40 ,  4C071EE13 ,  4C071FF23 ,  4C071GG01 ,  4C071JJ01 ,  4C071LL05 ,  4C071LL10 ,  5F110AA30 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD05 ,  5F110EE08 ,  5F110FF36 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG13 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 蒸発性有機半導体材料および光電子構成部品におけるその使用
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2013-515925   出願人：ヘリアテク・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング
• 有機化合物及びこれを含む有機電界発光素子
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2016-540504   出願人：ドゥーサンコーポレイション