特許

J-GLOBAL ID：201803003427824297

CIGS光起電力デバイス用モリブデン基板

発明者： 岩橋 崇 ,  リン,ジュン ,  ホワイトレッグ,ステファン ,  リウ,ズガン ,  アレン,ケアリー ,  スタッブス,スチュアート ,  カークハム,ポール
出願人/特許権者： ナノコ テクノロジーズ リミテッド
代理人 (1件)： 特許業務法人 丸山国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-541257
特許番号：特許第6248118号
出願日： 2013年11月08日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 支持体と、 前記支持体の上に配備されたモリブデン基板であって、前記モリブデン基板が、前記支持体の上に配備された第1の低密度モリブデン層、前記第1の低密度モリブデン層の上に配備された高密度モリブデン層、及び前記高密度モリブデン層の上に配備された第2の低密度モリブデン層を有する、モリブデン基板と、 前記第2の低密度モリブデン層の上及び該層に近接して配備された光吸収材料の層と、を具え、 前記第2の低密度モリブデン層が、光吸収材料の中に発生した汚染物質を吸収するための多孔質微細構造を有する、構造。

IPC (6件)：

H01L 31/0749 ( 201 2.01) ,  H01L 31/0224 ( 200 6.01) ,  H01L 31/18 ( 200 6.01) ,  H01L 31/036 ( 200 6.01) ,  H01L 31/072 ( 201 2.01) ,  H01L 21/368 ( 200 6.01)

FI (6件)：

H01L 31/06 460 ,  H01L 31/04 260 ,  H01L 31/04 422 ,  H01L 31/04 346 ,  H01L 31/06 400 ,  H01L 21/368 Z

引用特許：

審査官引用 (2件)

• モリブデン含有裏面電極層を有する薄膜太陽電池
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2010-538263   出願人：プランゼーメタルゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング
• 太陽電池及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-264113   出願人：松下電器産業株式会社