特許

J-GLOBAL ID：201803017905225036

コアシェル型シリカの製造方法

発明者： 増永 幸 ,  有光 慎之介 ,  宮原 浩嘉 ,  簑原 士行
出願人/特許権者： AGCエスアイテック株式会社
代理人 (4件)： 三好 秀和 ,  高橋 俊一 ,  伊藤 正和 ,  高松 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2018-034997
公開番号（公開出願番号）：特開2018-150226
出願日： 2018年02月28日
公開日（公表日）： 2018年09月27日
要約：

【課題】コアシェル型シリカにおいて、多孔質のシェル層の一層分の厚さを厚くして、シェル層全体の積層数を少なくする。【解決手段】シリカ粒子の表面にスクシンイミド骨格を有する高分子化合物を反応させ、ポリアミン化合物を反応させ、カチオン性高分子化合物で修飾された修飾シリカを得て、該修飾シリカにシリカ原料を付着させ、カチオン性高分子化合物を除去し、シリカシェル層を得る、コアシェル型シリカの製造方法である。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

シリカ粒子の表面にスクシンイミド骨格を有する高分子化合物を反応させ、ポリアミン化合物を反応させ、カチオン性高分子化合物で修飾された修飾シリカを得て、 該修飾シリカにシリカ原料を付着させ、カチオン性高分子化合物を除去し、シリカシェル層を得る、コアシェル型シリカの製造方法。

IPC (4件)：

C01B 33/18 ,  C08G 73/10 ,  C08G 69/10 ,  C08G 69/48

FI (4件)：

C01B33/18 C ,  C08G73/10 ,  C08G69/10 ,  C08G69/48

Fターム (48件)：

4G072AA25 ,  4G072BB05 ,  4G072BB07 ,  4G072DD03 ,  4G072DD04 ,  4G072GG03 ,  4G072HH18 ,  4G072HH30 ,  4G072JJ14 ,  4G072JJ42 ,  4G072LL14 ,  4G072LL15 ,  4G072MM03 ,  4G072MM22 ,  4G072MM23 ,  4G072MM31 ,  4G072MM33 ,  4G072MM36 ,  4G072QQ09 ,  4G072UU11 ,  4G072UU13 ,  4G072UU15 ,  4G072UU17 ,  4G072UU30 ,  4J001DA01 ,  4J001DD13 ,  4J001EA41 ,  4J001EC03 ,  4J001EC05 ,  4J001EE65A ,  4J001FC03 ,  4J001GE02 ,  4J001HA10 ,  4J001JA20 ,  4J001JC02 ,  4J043PA01 ,  4J043PA02 ,  4J043PB07 ,  4J043QB06 ,  4J043RA34 ,  4J043XA03 ,  4J043XB11 ,  4J043XB27 ,  4J043YA03 ,  4J043YA25 ,  4J043YB08 ,  4J043YB32 ,  4J043ZB35

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭59-112260