特許
J-GLOBAL ID:201803019081476940

有機薄膜トランジスタ、有機半導体膜、化合物、有機薄膜トランジスタ用組成物及び有機薄膜トランジスタの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 飯田 敏三 ,  篠田 育男 ,  赤羽 修一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2017-122786
公開番号(公開出願番号):特開2018-006745
出願日: 2017年06月23日
公開日(公表日): 2018年01月11日
要約:
【課題】高いキャリア移動度を大気下においても維持する有機薄膜トランジスタ、及び、その製造方法、並びに、上記有機薄膜トランジスタに好ましく用いることができる、有機半導体膜、化合物及び有機薄膜トランジスタ用組成物を提供する。【解決手段】特定の式で表される化合物を含有する有機半導体膜を備えた有機薄膜トランジスタ、これに好ましく用いることができる、有機半導体膜、化合物及び有機薄膜トランジスタ用組成物、並びに、上記有機薄膜トランジスタ用組成物を基板上に塗布して有機半導体膜を形成する工程を有する有機薄膜トランジスタの製造方法。【選択図】図1
請求項(抜粋):
下記式(1)で表される化合物を含有する有機半導体膜を備えた有機薄膜トランジスタ。
IPC (5件):
H01L 51/30 ,  H01L 51/05 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  C07D 487/22
FI (5件):
H01L29/28 250H ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A ,  C07D487/22
Fターム (50件):
4C050PA20 ,  5F110AA01 ,  5F110AA14 ,  5F110BB01 ,  5F110BB09 ,  5F110BB20 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF23 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF36 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG13 ,  5F110GG24 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG39 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27

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