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J-GLOBAL ID：201902226984156039   整理番号：19A1701460

低温成長GaAsエピ層におけるコヒーレント縦光学フォノンおよび縦光学フォノン-プラズモン結合モードからのテラヘルツ放射

著者 (6件)： 竹内日出雄 (大阪市大 大学院) ,  西村拓也 (大阪市大 大学院) ,  中山正昭 (大阪市大 大学院) ,  CHEN A. (ミシガン大 工) ,  FIELD R. L., III (ミシガン大 工) ,  GOLDMAN R. S. (ミシガン大 工)
資料名： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (日本物理学会春季大会講演概要集(CD-ROM))
巻： 74  号： 1  ページ： ROMBUNNO.15pS-PS-25  発行年： 2019年03月22日 
JST資料番号： S0671C  ISSN： 2189-079X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 低温成長(LT)GaAsエピ層には,過剰のAsによる欠陥が多数存在する。そのためにキャリア寿命が数ピコ秒あるいはサブピコ秒まで短くなる[1]。このような系に対してフェムト秒レーザー光パルスを照射することにより,コヒーレント縦光学(LO)フォ...【本文一部表示】

シソーラス用語： 電磁波放射 ,  *ヒ化ガリウム ,  化合物半導体 ,  層 ,  フォノン ,  モード ,  分光分析
準シソーラス用語： エピタクシー層 ,  *コヒーレント縦光学フォノン ,  テラヘルツ波分光法 ,  *テラヘルツ放射 ,  *縦光学-プラズモン結合モード

分類 (2件)： ポーラロン,電子-フォノン相互作用  (BM02130P) ,  固体プラズマ  (BM02160W)

タイトルに関連する用語 (7件)： 低温成長 ,  GaAs ,  エピ層 ,  コヒーレント ,  縦光学フォノン ,  プラズモン結合 ,  テラヘルツ放射