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J-GLOBAL ID：201902228181085633   整理番号：19A2598313

炭化水素分子イオン注入領域における銅ゲッタリングに対する3次元アトムプローブを用いた酸素の影響解析

著者 (9件)： 重松理史 (SUMCO) ,  奥山亮輔 (SUMCO) ,  廣瀬諒 (SUMCO) ,  柾田亜由美 (SUMCO) ,  門野武 (SUMCO) ,  小林弘治 (SUMCO) ,  鈴木陽洋 (SUMCO) ,  古賀祥泰 (SUMCO) ,  栗田一成 (SUMCO)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 80th  ページ： ROMBUNNO.18p-C212-5  発行年： 2019年09月04日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 1.はじめに 近年,CMOSイメージセンサの小型化・多機能化のために銅を導電性材料としたThrough-Silicon Via (TSV)を用いてセンサ部分とロジック部分を積層した3次元積層型CMOSイメージセンサが注目されている.しかしな...【本文一部表示】

シソーラス用語： *原子プローブFIM ,  イメージセンサ ,  バイアホール ,  *ゲッタリング ,  *イオン注入 ,  入射 ,  炭化水素 ,  銅 ,  炭素 ,  ナノ構造 ,  *ウエハ【IC】 ,  濃度 ,  三次元アトムプローブ ,  CMOSイメージセンサ ,  酸素濃度 ,  シリコン貫通ビア ,  シリコンウエハ
準シソーラス用語： TSV【配線】 ,  分子イオン入射 ,  ケイ素基板

分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (8件)： 炭化 ,  水素分子イオン ,  注入 ,  銅 ,  ゲッタリング ,  3次元アトムプローブ ,  酸素 ,  影響解析