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J-GLOBAL ID：201902229000166869   整理番号：19A2619789

透明導電膜のスパッタリング堆積によるプロセスダメージの評価

著者 (9件)： 金井皓輝 (明治大 理工) ,  西原達平 (明治大 理工) ,  神岡武文 (明治大 理工) ,  松崎淳介 (ULVAC) ,  高橋明久 (ULVAC) ,  清田淳也 (ULVAC) ,  安野聡 (高輝度光科学研究セ) ,  廣沢一郎 (高輝度光科学研究セ) ,  小椋厚志 (明治大 理工)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 80th  ページ： ROMBUNNO.20p-E314-5  発行年： 2019年09月04日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【背景と目的】ヘテロ接合Si太陽電池では、Si基板(c-Si)で生成したキャリアを効率的に電極に輸送するために透明導電膜(TCO)を挿入する。しかし、TCO成膜時に下地へのダメージおよびSiOx層の形成が報告され、効率の低下につながると考え...【本文一部表示】

シソーラス用語： *太陽電池 ,  *透明導電膜 ,  *スパッタ蒸着 ,  ヘテロ接合 ,  キャリア寿命 ,  X線光電子分光法 ,  硬X線 ,  アモルファスシリコン

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： 透明導電膜 ,  スパッタリング堆積 ,  プロセス ,  ダメージ ,  評価