文献
J-GLOBAL ID：201902229260502496
整理番号：19A2333506
蓄積電荷測定法による金/ペンタセン界面の電荷注入障壁測定
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著者 (9件)：
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資料名：
巻：
13th
ページ：
ROMBUNNO.3P058 (WEB ONLY)
発行年：
2019年
JST資料番号：
U0350A
資料種別：
会議録 (C)
記事区分：
短報
発行国：
日本 (JPN)
言語：
日本語 (JA)
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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分類 (2件)：
分類
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半導体の表面構造
, 半導体-金属接触
物質索引 (1件)：
物質索引
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タイトルに関連する用語 (7件)：
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