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J-GLOBAL ID:201902241430367869   整理番号:19A1700107

GaSb量子井戸における二次元ホール系の磁場中輸送特性

著者 (17件):
資料名:
巻: 74  号:ページ: ROMBUNNO.14pE201-6  発行年: 2019年03月22日 
JST資料番号: S0671C  ISSN: 2189-079X  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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GaSbは室温で高いホール移動度を示すことから、p型のMOS-FETへの応用に向けた研究が活発に行われてきた[1]。また、同材料を用いたInAs/GaSb二重量子井戸構造においては、古くから中赤外の光検出器への応用や、近年においては2次元ト...【本文一部表示】
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分類 (2件):
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半導体と絶縁体の電気伝導一般  ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合 
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