文献

J-GLOBAL ID：201902270971470335   整理番号：19A2598165

フォトリソグラフィで作製したナノ共振器シリコンラマンレーザ

著者 (6件)： 安田孝正 (大阪府大 大学院) ,  岡野誠 (産業技術総合研) ,  大塚実 (産業技術総合研) ,  関三好 (産業技術総合研) ,  横山信幸 (産業技術総合研) ,  高橋和 (大阪府大 大学院)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 80th  ページ： ROMBUNNO.18a-PA5-1  発行年： 2019年09月04日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 1.概要 高Q値シリコンナノ共振器は様々な新規光デバイス開発に利用されている.産業応用にはCMOS互換プロセスを利用した大量作製が重要と考えられるが,我々は,フォトリソグラフィ(ArF液浸露光法)を用いて平均Q値190万を有するシリコンナノ...【本文一部表示】

シソーラス用語： フォトリソグラフィー ,  微小共振器 ,  *Ramanレーザ ,  ケイ素 ,  露光 ,  Q値 ,  エキシマレーザ ,  *液浸露光 ,  ArFレーザ
準シソーラス用語： ArFエキシマレーザ ,  *ナノ共振器

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (5件)： フォトリソグラフィ ,  作製 ,  ナノ共振器 ,  シリコン ,  ラマンレーザ