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J-GLOBAL ID：201902271565832462   整理番号：19A2620523

硬X線光電子分光法による金属/GaN界面のバンド構造評価

著者 (11件)： 水島啓貴 (ソニー) ,  新井龍志 (ソニー) ,  稲葉雄大 (ソニー) ,  山下俊介 (ソニー) ,  山口雄大 (ソニー) ,  蟹谷裕也 (ソニー) ,  工藤喜弘 (ソニー) ,  濱口達史 (ソニー) ,  幸田倫太郎 (ソニー) ,  簗嶋克典 (ソニー) ,  冨谷茂隆 (ソニー)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 80th  ページ： ROMBUNNO.21p-E310-7  発行年： 2019年09月04日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 背景・目的 一般に電極/半導体界面における物性は、その半導体デバイスの特性に影響を及ぼすことが知られている。例えば、窒化ガリウム(GaN)を用いたデバイスにおける金属電極とp型GaN (p-GaN)の界面では、p-GaNの大きな仕事関数によ...【本文一部表示】

シソーラス用語： *X線光電子分光法 ,  *金属 ,  *窒化ガリウム ,  *界面 ,  *バンド構造 ,  障壁 ,  *硬X線光電子分光 ,  金属-半導体界面
準シソーラス用語： *GaN ,  エネルギー障壁

分類 (1件)： 表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (5件)： 硬X線光電子分光 ,  GaN ,  界面 ,  バンド構造 ,  評価