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J-GLOBAL ID：201902278254773653   整理番号：19A1402285

SiC溶液成長過程における転位変換現象を利用した高品質結晶成長

著者 (11件)： 原田俊太 (名大 未来研) ,  原田俊太 (名大 院) ,  朱燦 (名大 未来研) ,  遠藤友樹 (名大 院) ,  小泉晴比古 (名大 未来研) ,  鳴海大翔 (名大 VBL) ,  田川美穂 (名大 未来研) ,  田川美穂 (名大 院) ,  宇治原徹 (名大 未来研) ,  宇治原徹 (名大 院) ,  宇治原徹 (産総研 GaN-OIL)
資料名： 日本金属学会講演概要(CD-ROM)  (Collected Abstracts of Spring Meeting of the Japan Institute Metals and Materials (CD-ROM))
巻： 164th  ページ： ROMBUNNO.S2.7  発行年： 2019年03月06日 
JST資料番号： S0988B  ISSN： 2433-3093  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： SiCは優れたパワーデバイス特性を示すため、Siに代わる次世代のパワーデバイス材料として研究開発が進められている。SiC結晶中には、マイクロパイプ、貫通転位、基底面転位などの格子欠陥が含まれており、SiCパワーデバイスの性能や信頼性に影響を...【本文一部表示】

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *溶液成長 ,  *結晶成長 ,  X線トポグラフィー ,  欠陥 ,  貫通転位 ,  底面 ,  品質 ,  転位【結晶】 ,  種結晶 ,  転位密度 ,  単結晶 ,  坩堝 ,  高品質 ,  黒鉛るつぼ ,  格子欠陥
準シソーラス用語： 転位変換現象

分類 (2件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (7件)： SiC ,  溶液成長 ,  過程 ,  転位 ,  現象 ,  高品質 ,  結晶成長