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J-GLOBAL ID：201902282882100355   整理番号：19A1374865

SiC上グラフェンの電子状態に対する界面の影響

著者 (7件)： 佐藤京樹 (名古屋大 工) ,  榊原涼太郎 (名古屋大 工) ,  河原憲治 (九大 GIC) ,  吾郷浩樹 (九大 GIC) ,  林直輝 (名大 院) ,  伊藤孝寛 (名大 SRセ) ,  乗松航 (名大 院)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 66th  ページ： ROMBUNNO.10p-PA8-25  発行年： 2019年02月25日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： [緒言]グラフェン作製手法の一つであるSiC熱分解法は,半絶縁性基板上に直接的かつ大面積にグラフェンをエピタキシャル成長させることができる手法である.従って,トランジスタ応用に適している.本手法で得られるエピタキシャルグラフェン(EG)とS...【本文一部表示】

シソーラス用語： *グラフェン ,  *電子状態 ,  *熱分解 ,  バッファ層 ,  *キャリア移動度 ,  *Hall効果 ,  *原子間力顕微鏡 ,  *RHEED ,  界面層 ,  *フォノン散乱 ,  *Diracコーン ,  *ARPES
準シソーラス用語： SiC ,  *エピタキシャル成長 ,  化学気相成長 ,  *角度分解光電子分光 ,  *Raman分光 ,  アニール処理 ,  Gバンド

分類 (4件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  薄膜成長技術・装置  (BK14020I) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P) ,  半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル  (BM08066B)

タイトルに関連する用語 (4件)： SiC ,  グラフェン ,  電子状態 ,  界面