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J-GLOBAL ID：201902286521910524   整理番号：19A1376620

CMOSイメージセンサ向け分子イオン注入エピタキシャルウェーハの製品特性(I)-水素脱離挙動の反応速度論解析-

著者 (9件)： 奥山亮輔 (SUMCO) ,  柾田亜由美 (SUMCO) ,  鈴木陽洋 (SUMCO) ,  小林弘治 (SUMCO) ,  重松理史 (SUMCO) ,  廣瀬諒 (SUMCO) ,  門野武 (SUMCO) ,  古賀祥泰 (SUMCO) ,  栗田一成 (SUMCO)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 66th  ページ： ROMBUNNO.12p-M111-2  発行年： 2019年02月25日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 1.はじめに CMOSイメージセンサの高性能化のために,我々は炭化水素分子イオン注入エピタキシャルウェーハを開発してきた1).炭化水素分子イオン注入エピタキシャルウェーハは重金属および酸素に対する高いゲッタリング能力だけでなく,注入領域から...【本文一部表示】

シソーラス用語： *イメージセンサ ,  イオン ,  イオン注入 ,  *ウエハ【IC】 ,  脱着 ,  *反応速度論 ,  二次イオン質量分析 ,  *CMOSイメージセンサ ,  分子イオン ,  *シリコンウエハ
準シソーラス用語： 水素脱離 ,  SIMS【質量分析】

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (8件)： CMOSイメージセンサ ,  分子イオン ,  注入 ,  エピタキシャルウェーハ ,  水素脱離 ,  挙動 ,  反応速度論 ,  解析