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J-GLOBAL ID：201902288239967140   整理番号：19A1370281

常温接合によるSiC-BOX層SOIウェーハの検討

著者 (2件)： 古賀祥泰 (SUMCO) ,  栗田一成 (SUMCO)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 66th  ページ： ROMBUNNO.10a-M113-1  発行年： 2019年02月25日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 1.はじめに パワーデバイスでは,数百ボルト以上の電圧が素子分離領域に印加される.特に車載用途において,高温時に素子分離領域を流れる電流(以下,リーク電流)が増加する問題がある.従来,素子分離領域にpn接合を用いてきたが,リーク電流を十分に...【本文一部表示】

シソーラス用語： *接合 ,  *炭化ケイ素 ,  *酸化膜 ,  *ウエハ【IC】 ,  *半導体素子 ,  プラズマCVD ,  アイソレーション【IC】 ,  空孔欠陥 ,  赤外分光分析 ,  *SOIウェハ ,  シリコンウエハ ,  *化成皮膜
準シソーラス用語： *常温接合 ,  SiC ,  *BOX ,  *SiCパワーデバイス ,  シリコン基板 ,  ボイド【結晶】

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 常温接合 ,  SiC ,  BOX ,  SOIウェーハ