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J-GLOBAL ID：201902289312605140   整理番号：19A1376621

CMOSイメージセンサ向け分子イオン注入エピタキシャルウェーハの製品特性(II)-CH₄Nイオン注入エピタキシャルウェーハの基礎特性-

著者 (9件)： 鈴木陽洋 (SUMCO) ,  門野武 (SUMCO) ,  廣瀬諒 (SUMCO) ,  奥山亮輔 (SUMCO) ,  柾田亜由美 (SUMCO) ,  重松理史 (SUMCO) ,  小林弘治 (SUMCO) ,  古賀祥泰 (SUMCO) ,  栗田一成 (SUMCO)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 66th  ページ： ROMBUNNO.12p-M111-3  発行年： 2019年02月25日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 1.はじめに CMOSイメージセンサの性能向上のためには,デバイス活性層における重金属汚染の抑制及び,酸素濃度の低減,酸化膜/シリコン(Si)界面のパッシベーションにより,様々なノイズを低減する必要がある.我々はこれまでに,炭化水素分子(例...【本文一部表示】

シソーラス用語： イメージセンサ ,  *イオン ,  *イオン注入 ,  層 ,  *ウエハ【IC】 ,  ゲッタリング ,  *格子欠陥 ,  二次イオン質量分析 ,  透過型電子顕微鏡 ,  CMOSイメージセンサ ,  *分子イオン ,  エピタキシャル層 ,  *シリコンウエハ
準シソーラス用語： SIMS【質量分析】 ,  TEM【顕微鏡】

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (5件)： CMOSイメージセンサ ,  分子イオン ,  注入 ,  エピタキシャルウェーハ ,  基礎