特許
J-GLOBAL ID:201903006491505061
シロキサンの製造方法
発明者:
,
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
平川 明
, 佐貫 伸一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2017-232345
公開番号(公開出願番号):特開2019-099507
出願日: 2017年12月04日
公開日(公表日): 2019年06月24日
要約:
【課題】シロキサンを効率良く製造することができるシロキサンの製造方法、特にSi-H基を有するを効率良く製造することができるシロキサンの製造方法の提供。【解決手段】イリジウム錯体の存在下、式(A-1)〜(A-3)の何れかで表されるシラノール化合物とジヒドロシラン又はトリヒドロシラン化合物の脱水素縮合反応によるシロキサンの製造方法。(R1は夫々独立してハロゲン原子で置換/非置換のC1〜20の炭化水素基、ハロゲン原子で置換/非置換のC1〜20のアルコキシ基、又はハロゲン原子で置換/非置換の総数0〜30のシリルオキシ基)【選択図】なし
請求項(抜粋):
イリジウム錯体の存在下、下記式(A-1)〜(A-3)の何れかで表されるシラノールと下記式(B-1)〜(B-2)の何れかで表されるヒドロシランを脱水素縮合させてシロキサンを生成する脱水素縮合工程を含むことを特徴とするシロキサンの製造方法。
IPC (2件):
FI (2件):
Fターム (32件):
4G169AA06
, 4G169BA21B
, 4G169BA27B
, 4G169BC74A
, 4G169BC74B
, 4G169BE02B
, 4G169BE03B
, 4G169BE36B
, 4G169BE46B
, 4G169CB81
, 4G169DA02
, 4G169FB77
, 4H049VN01
, 4H049VP02
, 4H049VP03
, 4H049VQ02
, 4H049VQ07
, 4H049VR11
, 4H049VR21
, 4H049VR22
, 4H049VR23
, 4H049VR41
, 4H049VR42
, 4H049VS02
, 4H049VS07
, 4H049VS16
, 4H049VS21
, 4H049VT17
, 4H049VV02
, 4H049VV03
, 4H049VW01
, 4H049VW02
引用特許:
引用文献:
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