有機薄膜トランジスタ及びその製造方法、有機薄膜トランジスタ用材料、有機薄膜トランジスタ用組成物、化合物、並びに、有機半導体膜

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (4件)：渡辺望稔 , 三和晴子 , 伊東秀明 , 三橋史生
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-533088
特許番号：特許第6556844号
出願日： 2016年08月02日
請求項（抜粋）：

【請求項1】下記一般式(1)又は下記一般式(2)で表され、且つ、分子量が3000以下である化合物を含む有機半導体膜を有する、有機薄膜トランジスタ。一般式(1)及び一般式(2)中、 R1〜R12は、それぞれ独立に下記式(W)で表される基を表す。 -LW-RW (W) 式(W)中、LWは、単結合、-O-、-S-、-NR13-、-CO-、-SO-、-SO2-若しくは-Si(R14)(R15)-のいずれかの2価の連結基、又は、これらの2価の連結基が2以上結合した2価の連結基であり、RWは、水素原子、ハロゲン原子、又は、置換基を有していてもよい、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基若しくはヘテロアリール基を表し、R13〜R15は、それぞれ独立に、水素原子、又は、置換基を有していてもよい、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基若しくはヘテロアリール基を表す。但し、一般式(1)及び一般式(2)において、R5〜R8のうち少なくとも1つ以上は、水素原子以外の基である。

IPC (6件)：

H01L 51/30 ( 200 6.01) , H01L 51/05 ( 200 6.01) , H01L 29/786 ( 200 6.01) , H01L 21/336 ( 200 6.01) , C07F 7/08 ( 200 6.01) , C07D 495/04 ( 200 6.01)

FI (6件)：

H01L 29/28 250 H , H01L 29/28 100 A , H01L 29/78 618 B , H01L 29/78 618 A , C07F 7/08 CSP W , C07D 495/04 101

引用特許：

審査官引用 (8件)

クリセン骨格を有する有機化合物を用いた半導体材料
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-289317 出願人：学校法人東海大学, ウシオケミックス株式会社
有機薄膜トランジスタ、有機半導体薄膜および有機半導体材料
公報種別：公開公報出願番号：特願2013-161829 出願人：富士フイルム株式会社
有機薄膜トランジスタ、有機半導体薄膜および有機半導体材料
公報種別：公開公報出願番号：特願2013-161828 出願人：富士フイルム株式会社

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引用文献：

審査官引用 (1件)

Synthesis of Carboxy-Functionalized Polycyclic Arenes by Oxidative Cyclizations of 2,3-Diarylacrylat

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