特許

J-GLOBAL ID：201903015194161620

有機薄膜トランジスタ、有機薄膜トランジスタの製造方法、有機薄膜トランジスタ用材料、有機薄膜トランジスタ用組成物、有機半導体膜、化合物

発明者： 福▲崎▼ 英治 ,  津山 博昭 ,  小柳 雅史 ,  宇佐美 由久 ,  渡邉 哲也 ,  岡本 敏宏 ,  竹谷 純一
出願人/特許権者： 富士フイルム株式会社 ,  国立大学法人 東京大学
代理人 (4件)： 渡辺 望稔 ,  三和 晴子 ,  伊東 秀明 ,  三橋 史生
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-533074
特許番号：特許第6465978号
出願日： 2016年08月02日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 一般式(1)または一般式(2)で表される化合物を含有する有機半導体膜を有する、有機薄膜トランジスタ。 前記一般式(1)中、A11およびA12はそれぞれ独立に、-N(RN)-または-P(RN)-を表す。RNは、水素原子または置換基を表す。複数のRNはそれぞれ、同一でも異なっていてもよい。 前記一般式(1)中、B11およびB12はそれぞれ独立に、-N=または-C(RM)=を表す。RMは、水素原子または置換基を表す。B11およびB12がいずれも-C(RM)=である場合には、B11に含まれるRMとB12に含まれるRMが環を形成していてもよい。 前記一般式(1)中、Ch11は、硫黄原子、スルフィニル基、スルホニル基、セレン原子、セレニニル基またはセレノニル基を表す。 前記一般式(1)中、X11、X12、X13およびX14はそれぞれ独立に、酸素原子または硫黄原子を表す。 前記一般式(2)中、A21およびA22はそれぞれ独立に、-N(RN)-または-P(RN)-を表す。RNは、水素原子または置換基を表す。複数のRNはそれぞれ、同一でも異なっていてもよい。 前記一般式(2)中、B21およびB22はそれぞれ独立に、-N=または-C(RM)=を表す。RMは、水素原子または置換基を表す。B21およびB22がいずれも-C(RM)=である場合には、B21に含まれるRMとB22に含まれるRMが環を形成していてもよい。 前記一般式(2)中、Ch21は、硫黄原子、スルフィニル基、スルホニル基、セレン原子、セレニニル基またはセレノニル基を表す。 前記一般式(2)中、X21、X22、X23およびX24はそれぞれ独立に、酸素原子または硫黄原子を表す。 前記一般式(2)中、R21およびR22はそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。

IPC (5件)：

H01L 51/30 ( 200 6.01) ,  H01L 51/05 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  C07D 495/16 ( 200 6.01) ,  C07D 517/16 ( 200 6.01)

FI (5件)：

H01L 29/28 250 H ,  H01L 29/28 100 A ,  H01L 29/78 618 B ,  C07D 495/16 CSP ,  C07D 517/16