特許
J-GLOBAL ID:201903015740808672
有機薄膜トランジスタ及びその製造方法、有機薄膜トランジスタ用材料、有機薄膜トランジスタ用組成物、化合物、並びに有機半導体膜
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (4件):
渡辺 望稔
, 三和 晴子
, 伊東 秀明
, 三橋 史生
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2017-533081
特許番号:特許第6573979号
出願日: 2016年08月02日
請求項(抜粋):
【請求項1】 下記一般式(1)で表され、かつ、分子量が3,000以下である化合物を含む有機半導体膜を有する、有機薄膜トランジスタ。
一般式(1)中、Xは、酸素原子、セレン原子又はテルル原子を表し、R1〜R12は、それぞれ独立に下記式(W)で表される基を表す。ただし、R1〜R12のうち、少なくとも一つ以上は水素原子以外の基である。
-LW-RW (W)
式(W)中、LWは、単結合、-O-、-S-、-NR13-、-CO-、-SO-、-SO2-若しくは-Si(R14)(R15)-のいずれかの2価の連結基、又は、これらの2価の連結基が2以上結合した2価の連結基であり、RWは、水素原子、又は、置換基を有していてもよい、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基若しくはヘテロアリール基を表す。
R13〜R15は、それぞれ独立に水素原子、又は、置換基を有していてもよい、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基若しくはヘテロアリール基を表す。
IPC (7件):
H01L 51/30 ( 200 6.01)
, H01L 51/05 ( 200 6.01)
, H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, C07D 345/00 ( 200 6.01)
, C07D 421/14 ( 200 6.01)
, H01L 51/42 ( 200 6.01)
FI (7件):
H01L 29/28 250 H
, H01L 29/28 100 A
, H01L 29/78 618 B
, H01L 29/78 618 A
, C07D 345/00 CSP
, C07D 421/14
, H01L 31/08 T
引用特許:
引用文献:
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