特許
J-GLOBAL ID:201903018098538754
有機薄膜トランジスタ及びその製造方法、有機薄膜トランジスタ用材料、有機薄膜トランジスタ用組成物、化合物、並びに、有機半導体膜
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (4件):
渡辺 望稔
, 三和 晴子
, 伊東 秀明
, 三橋 史生
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2017-533086
特許番号:特許第6483265号
出願日: 2016年08月02日
請求項(抜粋):
【請求項1】 下記一般式(1)で表され、かつ、分子量が3000以下である化合物を含む有機半導体膜を有する有機薄膜トランジスタ。
Zは、セレノフェン、チアゾール、オキサゾール、イミダゾール及びシロールからなる群から選ばれる5員環の芳香族複素環を表し、R1〜R10は、それぞれ独立に下記式(W)で表される基を表す。
-LW-RW (W)
式(W)中、LWは、単結合、-O-、-S-、-NR11-、-CO-、-SO-、-SO2-若しくは-Si(R12)(R13)-のいずれかの2価の連結基、又は、これらの2価の連結基が2以上結合した2価の連結基であり、RWは、水素原子、ハロゲン原子、又は、置換基を有していてもよい、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基若しくはヘテロアリール基を表す。
R11〜R13は、それぞれ独立に、水素原子、又は、置換基を有していてもよい、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基若しくはヘテロアリール基を表す。
IPC (5件):
H01L 51/30 ( 200 6.01)
, H01L 51/05 ( 200 6.01)
, H01L 29/786 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, C07D 517/04 ( 200 6.01)
FI (5件):
H01L 29/28 250 H
, H01L 29/28 100 A
, H01L 29/78 618 B
, H01L 29/78 618 A
, C07D 517/04
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