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J-GLOBAL ID：202002214146368594   整理番号：20A1546083

遷移金属内包シリコンケージナノクラスター薄膜の作製と電気伝導機構の解明

Fabrication of transition-metal encapsulating Si₁₆ cage nanocluster thin films and their electrical conduction mechanisms

著者 (7件)： 千葉竜弥 (慶応大 理工) ,  横山高穂 (慶応大 理工) ,  平田直之 (慶応大 理工) ,  渋田昌弘 (慶応大 理工) ,  渋田昌弘 (フィリップス大) ,  角山寛規 (慶応大 理工) ,  中嶋敦 (慶応大 理工)
資料名： 日本化学会春季年会講演予稿集(CD-ROM)
巻： 100th  ページ： ROMBUNNO.1D2-12  発行年： 2020年03月05日 
JST資料番号： S0493B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 金属内包シリコンケージナノクラスター(M@Si₁₆)は16個のSi原子でできたカゴの中心に金属原子が内包された構造をしており,内包金属を変えると格子定数を保持したまま電子状態が変化するため電子デバイスとしての応用が期待される.本研究では精密に合成されたM@Si₁₆の集積薄膜を作製し,電流・電圧(I-V)測定を行った.I-V特性の温度依存性からM@Si₁₆集積薄膜の電気伝導機構を明らかにした.(著者抄録)

シソーラス用語： *ケイ素化合物 ,  *かご効果 ,  *ナノクラスタ ,  *包接化合物 ,  マグネトロンスパッタリング ,  *蒸着膜 ,  着陸 ,  *タンタル ,  *電気伝導率 ,  温度依存性 ,  電流電圧特性 ,  計算 ,  量子化学 ,  量子化学計算 ,  軟着陸
準シソーラス用語： ソフトランディング

分類 (3件)： 分子化合物  (CE02000C) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (5件)： 遷移金属 ,  内包 ,  薄膜 ,  作製 ,  電気伝導