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J-GLOBAL ID：202002224581630260   整理番号：20A0750051

CePtSi₂の圧力誘起超伝導

Pressure-Induced Superconductivity in CePtSi₂

著者 (1件)： 中野智仁 (新潟大学 自然科学研究科)
資料名： 高圧力の科学と技術  (Review of High Pressure Science and Technology)
巻： 29  号： 4  ページ： 283-289(J-STAGE)  発行年： 2019年 
JST資料番号： L1386A  ISSN： 0917-639X  CODEN： KKGIE2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本論文では,CePtSi₂における圧力誘起超伝導とその発見過程について紹介する。常圧では,斜方晶CePtSi₂はT_N=1.8K以下で反強磁性秩序を示した。T_Nは1.2GPa以上で消失し,超伝導相はT_c~0.1Kで現れた。抵抗率におけるA係数の著しい減少と,量子臨界点(QCP)と超伝導相の中心の間の不一致は,CeCu₂(Si,Ge)₂で観察されたものと同様に,価電子媒介超伝導を示唆する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *超伝導 ,  圧力効果 ,  *セリウム化合物 ,  白金化合物 ,  ケイ素化合物 ,  臨界点 ,  相転移 ,  反強磁性 ,  価電子 ,  電気抵抗率 ,  斜方晶系 ,  状態図 ,  磁気秩序 ,  *圧力誘起超伝導 ,  常圧 ,  超伝導相 ,  反強磁性秩序 ,  量子臨界点

著者キーワード (8件)： 圧力誘起超伝導 ,  CePtSi_2 ,  原子価 ,  単結晶 ,  圧力誘起超伝導 ,  CePtSi_2 ,  原子価 ,  単結晶

分類 (1件)： 金属系超伝導体の物性  (BM04022R)

引用文献 (35件)：

• [1] B. Barbara, J.X. Boucherle, J.L. Buevoz, M.F. Rossignol, J. Schweizer: Solid State Commun., 24, 481 (1977).
• [2] T. Nakano, I. Terasaki: Phys. Rev. B, 73, 195106 (2006).
• [3] H. Yamagami, A. Hasegawa: Physica B, 186-188, 182 (1993).
• [4] A. Severing, E. Gratz, B.D. Rainford, K. Yoshimura: Physica B, 163, 409 (1990).
• [5] D.W. Pohl: Phys. Rev. B, 15, 3855 (1977).

タイトルに関連する用語 (1件)： 圧力誘起超伝導