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J-GLOBAL ID：202002243186392737   整理番号：20A2238108

ナノ共振器シリコンラマンレーザの作製歩留まり向上の検討

Improvement of fabrication yield for Raman silicon nanocavity lasers

著者 (6件)： 藤本正直 (大阪府大 大学院) ,  川勝太郎 (大阪府大 大学院) ,  安田孝正 (大阪府大 大学院) ,  浅野卓 (京大 大学院) ,  野田進 (京大 大学院) ,  高橋和 (大阪府大 大学院)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 67th  ページ： ROMBUNNO.13p-PA7-6  発行年： 2020年02月28日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【序論】我々は,高Q値フォトニック結晶ナノ共振器を用いて,閾値1μW以下で室温連続発振するシリコンラマンレーザを開発してきた[1].このデバイスはマルチヘテロ構造ナノ共振器に形成される2つの高Q値共振モード(パンプナノ共振モードとストークス...【本文一部表示】

シソーラス用語： Raman散乱 ,  *共振器 ,  格子定数 ,  ゆらぎ ,  標準偏差 ,  *ケイ素 ,  *Ramanレーザ ,  素子構造 ,  Q値 ,  レーザ発振 ,  有限差分時間領域法 ,  *微小共振器 ,  フォトニック結晶 ,  ヘテロ構造
準シソーラス用語： 共振モード , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (4件)： ナノ共振器 ,  シリコン ,  ラマンレーザ ,  作製歩留まり