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J-GLOBAL ID：202002248514244145   整理番号：20A0114504

InGaN量子井戸におけるMobility edgeの見積り方法に関する実験的・理論的検討

Theoretical and Experimental Studies on Estimation Methods of Mobility Edge in InGaN Quantum Wells

著者 (8件)： 藤田貴志 (金沢工大 光電相互変換デバイスシステム研究開発セ) ,  坂井繁太 (金沢工大 光電相互変換デバイスシステム研究開発セ) ,  池田優真 (金沢工大 光電相互変換デバイスシステム研究開発セ) ,  山口敦史 (金沢工大 光電相互変換デバイスシステム研究開発セ) ,  草薙進 (ソニー R&Dセ) ,  蟹谷裕也 (ソニー R&Dセ) ,  工藤喜弘 (ソニー R&Dセ) ,  冨谷茂隆 (ソニー R&Dセ)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 119  号： 304(LQE2019 76-101)  ページ： 97-100  発行年： 2019年11月14日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： InGaN混晶は,組成を変えることで理論上可視光域全域をカバー可能な半導体材料である。InGaN量子井戸における組成揺らぎは光デバイスの特性に大きな影響を与えるため,その特性向上や新機能付加には電子状態の理解が必要である。Mobility edgeの位置は組成揺らぎの一つの指標になり得るが,評価方法により異なる結果が得られている。我々は,この不一致の原因を解明するために,速度方程式を用いた理論モデルを昨年提案したが,実験結果との定量的な比較まではできていなかった。本研究では,理論モデルの改善を行い,実験と理論の定量的な比較をできるようにし,Mobility edge位置の正しい評価にはキャリアフィリングの効果に注視する必要があることを明らかにした。また,正しい評価にはPLEスペクトルを用いる方法が最適であることも示唆された。(著者抄録)

シソーラス用語： インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  *量子井戸 ,  *移動度端 ,  組成 ,  電子状態 ,  レート方程式 ,  励起スペクトル ,  光ルミネセンス ,  *化合物半導体

分類 (2件)： 電子構造一般  (BM02010K) ,  電子輸送の一般理論  (BM03020C)

引用文献 (7件)：

• A. A. Yamaguchi, M. Kuramoto, A. Kimura, M. Nido and M. Mizuta: Jpn. J. Appl. Phys. 40 (2001) L548.
• A. A. Yamaguchi, M. Kuramoto, M. Nido and M. Mizuta: Semicond. Sci. Technol. 16 (2001) 763.
• A. Satake, Y Masumoto, T. Miyajima, T. Asatsuma, F. Nakamura and M. Ikeda: Phys. Rev. B57 (1998) R2041.
• J. Hegarty, L. Goldner and M. D. Sturge: Phys. Rev. B30 (1984) 7346.
• M. Oueslati, C. B. Guillaume and M. Zouaghi: Phys. Rev. B37 (1988) 3037.

タイトルに関連する用語 (6件)： InGaN ,  量子井戸 ,  EDGE ,  見積り ,  実験 ,  理論